Создан самый маленький транзистор из арсенида галлия

Создан самый маленький транзистор из арсенида галлия

Исследователи из Массачусетского технологического института сообщили о том, что им удалось изготовить самый маленький на сегодняшний день MOSFET-транзистор, сделанный из арсенида галлия-индия, который имеет размер всего в 22 нанометра. Исследователи надеются, что такие транзисторы, когда они войдут в массовое применение, могут обеспечить истинность закона Гордона Мура еще на достаточно продолжительное время.

"Мы продемонстрировали, что любой производитель полупроводниковых приборов может выпускать чипы на основе MOSFET-транзисторов из арсенида галлия-индия, который обладает превосходными скоростными характеристиками работы в цифровых логических схемах. Это должно обеспечить истинность закона Гордона Мура еще достаточно долгое время после того, как возможности кремниевой электроники в этом направлении будут исчерпаны" - рассказал Джесус дель Аламо (Jesus del Alamo), профессор электротехники и информатики, возглавлявший группу, разработавшую и изготовившую новый транзистор, на Международной конференции по электронным приборам (IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM), проходившей недавно в Сан-Франциско.

Международная организация International Technology Roadmap for Semiconductors уже достаточно давно определила направление использования MOSFET-транзисторов из арсенида галлия-индия, как одно из наиболее перспективных направлений развития электроники. Но у некоторых специалистов возникают сомнения в том, что транзисторы, разработанные в Массачусетском технологическом институте будут оптимальным решением с точки зрения технологичности их производства.

Исследователи из ЭмАйТи использовали процесс электроннолоучевой литографии для того, что бы точно сделать все элементы крошечного транзистора, а известно, что использование подобного подхода не приемлемо при промышленном производстве. Все чипы, изготавливаемые на сегодняшний день, производятся с помощью технологии ультрафиолетовой литографии и в течении следующего десятилетия можно ожидать только переключения технологий литографии с на более коротковолновую часть ультрафиолетового света.

Помимо всего вышесказанного новый транзистор был изготовлен на подложке из фосфида индия, который является более хрупким и менее прочным материалом, нежели кремний, используемый в настоящее время. Таким образом, пока ученые не придумают, как изготавливать MOSFET-транзисторы на 300-миллиметровых кремниевых пластинах, не стоит и думать о практическом применении таких транзисторов, несмотря на их замечательные качества и превосходные характеристики.

Несмотря на все это, нанотранзистор, разработанный исследователями Массачусетского технологического института, является большим шагом вперед. Но для того, что бы сделать огромный качественный прорыв в области электроники потребуется сделать еще много подобных шагов.

 
 
Оригинал здесь.

Комментарии

Чтобы оставить комментарий, Вам нужно авторизоваться.