Samsung, Hynix, Silicon Image разрабатывают новый стандарт памяти DRAM.

Samsung, Hynix, Silicon Image разрабатывают новый стандарт памяти DRAM.

Ведущие производители микросхем оперативной памяти, среди которых такие известные компании как Hynix, Samsung, LG Electronics и Silicon Image, сформировали консорциум, целю которого будет разработка нового стандарта DRAM-памяти. Этот новый стандарт будет разрабатываться для памяти Serial Port Memory Technology (SPMT), которая будет использоваться на рынке мобильных телефонов и MID-устройств.

Поскольку в последнее время мобильные телефоны все больше и больше по функциям приближаются к портативным компьютерам, новый тип памяти позволит увеличить пропускную способность подсистемы памяти и увеличит масштабируемость свей системы в целом. Такое увеличение функциональности совмещается с малыми габаритами микросхемы памяти, малым количеством ее выводов и низким энергопотреблением, что позволит увеличить время работы аккумуляторных батарей.

По предварительным данным, микросхемы памяти SPMT будут иметь на 40 процентов меньше выводов чем обычные микросхемы и будут обеспечивать пропускную способность шины памяти от 200Mб/с до 12.6Гб/с и выше. При этом память будет работать в одно или многопортовом режиме, что позволит выполнять операции с содержимым памяти в несколько независимых потоков.

Консорциум SPMT LLC собирается лицензировать этот новый стандарт как открытый стандарт, доступный всем заинтересованным разработчикам.

 
 
Оригинал здесь.

Комментарии

Чтобы оставить комментарий, Вам нужно авторизоваться.