Новый тип энергонезависимой памяти - гибкие мемристоры на основе графена.

Новый тип энергонезависимой памяти - гибкие мемристоры на основе графена.

Согласно информации, опубликованной в онлайн-издании Nano Letters, южнокорейские ученые из научно-исследовательского института электроники и телекоммуникаций в Тэджоне, создали новый вид энергонезависимой памяти на основе мемристоров, при этом процесс изготовления и структура элементов таких мемристоров позволяю наносить их на гибкую подложку. Только, в отличие от предыдущих подобных образцов гибкой памяти на основе мемристоров, мемристоры новой памяти изготовлены не из оксида титана, а из пленки оксида графена. Использование мемристоров в качестве ячеек хранения информации позволит разработать новые устройства хранения информации, с большей плотностью записи, более дешевые и потребляющее незначительное количество энергии, а гибкость новых устройств позволит использовать их в составе электронных устройств, являющихся частью бытовых предметов или одежды.

Мемристор представляет собой электронный элемент, который меняет свое сопротивление при прохождении через него электрического тока определенной величины. Свойство мемристоров сохранять значение сопротивления после того, как подача тока прекращена, делает его идеальным элементом для хранения дискретной информации. Впервые идея мемристоров была предложена еще в 1971 году, но только два года назад компания Hewlett Packard воплотила эту идею в жизнь, изготовив первый образец энергонезависимой памяти на их основе. Компания Hewlett Packard планирует доработать свою технологию и выпустить первые коммерческие образцы мемристорной памяти через три года.

Конструкция памяти на основе мемристоров компании Hewlett Packard представляет собой решетку их тонких проводников. Пересечения этой решетки, заполненные оксидом титана, и являются собственно мемристорами. Корейская память имеет подобную структуру, только с одним отличием, окись титана заменена на тончайшие пленки из окиси графена, зажатые между алюминиевыми проводниками шириной 50 микрометров. Опытный образец, продемонстрированный учеными содержал 25 мемристоров, расположенных в пересечениях решетки, составленной из 5 вертикальных и 5 горизонтальных проводников.

Несмотря на то, что размеры мемристоров, разработанных корейцами, превышают размеры мемристоров компании Hewlett Packard приблизительно в 1000 раз, они более просты в производстве, которое, к тому же, использует доступные и дешевые материалы. Поэтому новые мемристоры вряд ли будут использоваться для создания устройств энергонезависимой памяти с высокой плотность записти, их намного практичней будет использовать в составе недорогих и простых гибких электронных устройств, которые в ближайшем времени станут неотъемлемой частью многих бытовых предметов и одежды.

 
 
Оригинал здесь.

Комментарии

Чтобы оставить комментарий, Вам нужно авторизоваться.